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IXFH 26N50P
IXFV 26N50P
IXFV 26N50PS
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
C iss
V DS = 20 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
16
26
3600
S
pF
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
370
pF
1
2
3
Terminals:
1 - Gate
C rss
t d(on)
40
20
pF
ns
2 - Drain
3 - Source
Tab - Drain
t r
t d(off)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 I D25
R G = 4 ? (External)
25
58
ns
ns
t f
20
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
(TO-247, PLUS220)
60
20
25
0.21
nC
nC
nC
0.31 ° C/W
° C/W
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
C
D
E
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
e
L
5.20
19.81
5.72
20.32
0.205
.780
0.225
.800
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
L1
? P
Q
R
3.55
5.89
4.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.140
0.232
.170
.177
.144
0.252
.216
I S
V GS = 0 V
26
A
S
6.15
BSC
242
BSC
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100V, V GS = 0 V
0.6
6
104
1.5
200
A
V
ns
μ C
Α
PLUS220 (IXFV) Outline
PLUS220SMD (IXFV_S) Outline
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
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